■ نخستین تراشه‌ی حافظه‌ی فلش 20 نانومتر جهان ساخته شد بخش عمومی

سد تولید فلش 20 نانومتری با مجموعه جدید تراشه‌های حافظه طراحی شده سامسونگ برای کارت‌های اس دی شکسته شد.

به گزارش سرویس فن‌آوری اطلاعات خبرگزاری دانشجویان ایران (ایسنا)، فن‌آوری ساخت 20 نانومتر سامسونگ را قادر می‌سازد، تراشه‌های حافظه فلش ناند MLC (سلول چند لایه) 34 گیگابیتی یا چهار گیگابایتی تولید کند. انتظار می‌رود کارت‌های حافظه اس دی جدید تولید شده با این فن‌آوری تا پایان سال جاری وارد بازار شوند.



تراشه‌های فلش 20 نانومتری سامسونگ به این شرکت امکان می‌دهد، به‌طور همزمان ظرفیت حافظه را دو برابر کرده، سرعت را افزایش داده و هزینه‌های تولید را پایین بیاورد. حافظه فلش 20 نانومتر به سازندگان دستگاه نیز امکان می‌دهد تلفن های هوشمند و دستگاه‌های دیگر کوچک‌تری بسازند یا ظرفیت حافظه را در شکل‌های فعلی دو برابر کنند.



همچنین به همراه افزایش ظرفیت، تراشه‌های فلش 20 نانومتری کارآمدی را نیز افزایش می‌دهند و اگرچه سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات کاملا سریع نمی‌شود اما هرگونه افزایش سرعتی مورد استقبال است.

به گفته رییس بخش حافظه سامسونگ، این شرکت تنها یک سال پس از این که تولید فلش ناند 30 نانومتری را آغاز کرد، نسل جدید ناند 20 نانومتری را ایجاد کرده که از الزامات مشتریان این شرکت برای راهکارهای مبتنی بر فلش کارآمد و فشرده فراتر رفته است.



گسترش بازار فلش جنگ فن‌آوری را در بین سازندگان حافظه به دنبال داشته است. فن‌آوری تراشه جدید 25 نانومتری اینتل و میکرون که کمتر از سه ماه قبل رونمایی شده بود، اگرچه برای درایوهای سخت جامد بزرگ‌تر طراحی شده اما ممکن است با اعلام خبر ساخت فن‌آوری جدید سامسونگ لطمه ببیند.